FDD86250
![](/img-new/pdf.png)
FDD86250 datasheet
-
МаркировкаFDD86250
-
ПроизводительFairchild Semiconductor
-
ОписаниеFairchild Semiconductor FDD86250 Continuous Drain Current: 50 A Current - Continuous Drain (id) @ 25?° C: 8A Drain To Source Voltage (vdss): 150V Drain-source Breakdown Voltage: 150 V Fet Feature: Logic Level Gate Fet Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide Forward Transconductance Gfs (max / Min): 28 S Gate Charge (qg) @ Vgs: 33nC @ 10V Input Capacitance (ciss) @ Vds: 2110pF @ 75V Lead Free Status / Rohs Status: Lead free / RoHS Compliant Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Power - Max: 3.1W Power Dissipation: 132 W Rds On (max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 8A, 10V Resistance Drain-source Rds (on): 31 mOhms Series: - Transistor Polarity: N-Channel Vgs(th) (max) @ Id: 4V @ 250?µA RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 150 V Resistance Drain-Source RDS (on): 31 mOhms Forward Transconductance gFS (Max / Min): 28 S Factory Pack Quantity: 2500
-
Количество страниц6 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
![<p>Компания Mitsubishi Electric Corp. Анонсировала линейку новейших силовых полупроводниковых модулей серии J3. Изделия предназначены для самого широкого модельного ряда электромобилей (xEV). Презентация была проведена на выставке NEPCON JAPAN 2024, прошедшей в Tokyo Big Sight. Силовые полупроводниковые модули серии J3 позволят более эффективно управлять питанием электромобилей и являются следующим шагом в развитии следующих поколений данных типов авто.</p> <p>Компания Mitsubishi Electric Corp. Анонсировала линейку новейших силовых полупроводниковых модулей серии J3. Изделия предназначены для самого широкого модельного ряда электромобилей (xEV). Презентация была проведена на выставке NEPCON JAPAN 2024, прошедшей в Tokyo Big Sight. Силовые полупроводниковые модули серии J3 позволят более эффективно управлять питанием электромобилей и являются следующим шагом в развитии следующих поколений данных типов авто.</p>](/images/cache/20f024271d837d00d1ebb5d88818e39c.png)
14.06.2024
![<p>Компания STMicroelectronics начала производство программируемого модуля IoT System-in-Package (SiP) большой дальности действия и низким энергопотреблением. Передовой модуль, содержащий двухъядерную беспроводную систему-на-кристалле (SoC), существенно упрощает разработку таких приложений, как интеллектуальное зондирование и удаленный мониторинг, предлагая бесшовные беспроводные соединения LPWAN.</p> <p>Компания STMicroelectronics начала производство программируемого модуля IoT System-in-Package (SiP) большой дальности действия и низким энергопотреблением. Передовой модуль, содержащий двухъядерную беспроводную систему-на-кристалле (SoC), существенно упрощает разработку таких приложений, как интеллектуальное зондирование и удаленный мониторинг, предлагая бесшовные беспроводные соединения LPWAN.</p>](/images/cache/95755901a11c9d595976efca1a1e238f.png)
13.06.2024
![<p>CXL, передовая технология взаимодействие хост-процессора с акселераторами, буферами памяти, устройствами ввода/вывода. Она решает задачу "memory wall", то есть ограничения производительности вычислительных систем скоростью доступа к памяти. Данная технология позволяет лучшим образом согласовать CPU/GPU и подключенную память устройства, повышая производительность гетерогенных вычислений.</p> <p>CXL, передовая технология взаимодействие хост-процессора с акселераторами, буферами памяти, устройствами ввода/вывода. Она решает задачу "memory wall", то есть ограничения производительности вычислительных систем скоростью доступа к памяти. Данная технология позволяет лучшим образом согласовать CPU/GPU и подключенную память устройства, повышая производительность гетерогенных вычислений.</p>](/images/cache/47ff4b81a083fc5dc9bd623bb83d1e62.png)
12.06.2024